Texas Instruments CSD25481F4T

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Turn Off Delay Time

16.9 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

FemtoFET™

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

超低电阻

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD25481

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

接通延迟时间

4.1 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

88m Ω @ 500mA, 8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

189pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.91nC @ 4.5V

上升时间

3.6ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

-12V

下降时间（典型值）

6.7 ns

连续放电电流(ID)

2.5A

阈值电压

-950mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

-20V

高度

350μm

长度

1.035mm

宽度

635μm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅