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CSD85301Q2T备选型号: FDC637BNZ
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- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 功率耗散
- Vgs（最大值）
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 辐射硬化
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSONACTIVE (Last Updated: 2 days ago)12 WeeksTin表面贴装表面贴装6-WDFN Exposed Pad69.695537mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)6雪崩 额定2.3W无铅CSD853012Dual增强型MOSFETDRAIN6 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING27m Ω @ 5A, 4.5V1.2V @ 250μA469pF @ 10V5.4nC @ 4.5V26ns20V15 ns5A900mV10V5A0.039Ohm20V3.8 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 5V Drive2mm2mm750μm无SVHCROHS3 Compliant无铅-----------
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/RACTIVE (Last Updated: 2 days ago)13 Weeks-表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON6.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)6--鸥翼-1Single增强型MOSFET-8 nsN-ChannelSWITCHING24m Ω @ 6.2A, 4.5V1.5V @ 250μA895pF @ 10V12nC @ 4.5V6ns-6 ns6.2A800mV12V--20V------无SVHCROHS3 Compliant无铅2006EAR9924MOhmTin (Sn)DUAL800mW±12V150°C800 mV1.1mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS9926A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS9926A - Dual MOSFET, Dual N Channel, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V | 对比 |
 | DMG3420U-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23 | 对比 |
| FDC637BNZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 |
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