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首页 全部分类 CSD85301Q2T vs FDS9926A

CSD85301Q2T备选型号: FDS9926A

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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD85301Q2T
    Texas Instruments
    MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    9.695537mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    雪崩 额定
    2.3W
    无铅
    CSD85301
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    DRAIN
    6 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    27m Ω @ 5A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    469pF @ 10V
    5.4nC @ 4.5V
    26ns
    20V
    15 ns
    5A
    900mV
    10V
    5A
    0.039Ohm
    20V
    3.8 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 5V Drive
    2mm
    2mm
    750μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS9926A
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS9926A - Dual MOSFET, Dual N Channel, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    187mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    2W
    鸥翼
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    -
    8 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    30m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    650pF @ 10V
    9nC @ 4.5V
    9ns
    -
    4 ns
    6.5A
    1V
    10V
    -
    0.03Ohm
    20V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    5mm
    4mm
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2003
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin (Sn)
    20V
    6.5A
    2W
    900mW
    20V
    1 V
    1.5mm
    无
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