CSD85301Q2T备选型号: IRLML6244TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 功率耗散
- Vgs(最大值)
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 辐射硬化
- MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSONACTIVE (Last Updated: 2 days ago)12 WeeksTin表面贴装表面贴装6-WDFN Exposed Pad69.695537mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)6雪崩 额定2.3W无铅CSD853012Dual增强型MOSFETDRAIN6 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING27m Ω @ 5A, 4.5V1.2V @ 250μA469pF @ 10V5.4nC @ 4.5V26ns20V15 ns5A900mV10V5A0.039Ohm20V3.8 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 5V Drive2mm2mm750μm无SVHCROHS3 Compliant无铅------------
- MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23-12 Weeks-表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-SILICON6.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3-活跃1 (Unlimited)3--鸥翼-1Single增强型MOSFET-4.9 nsN-ChannelSWITCHING21m Ω @ 6.3A, 4.5V1.1V @ 10μA700pF @ 16V8.9nC @ 4.5V7.5ns-12 ns6.3A900mV12V--20V---3.04mm1.4mm-无SVHCROHS3 Compliant无铅2012EAR9927MOhmMatte Tin (Sn)DUAL1.3W±12V18 ns150°C12 V1.12mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS9926A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS9926A - Dual MOSFET, Dual N Channel, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V | 对比 | |
![]() | DMG3420U-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23 | 对比 |
| FDC637BNZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 |





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