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首页 全部分类 CSD85312Q3E vs NTD4865NT4G

CSD85312Q3E备选型号: NTD4865NT4G

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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Texas Instruments
    CSD85312Q3E
    Texas Instruments
    Trans MOSFET N-CH 20V 39A 8-Pin VSON EP T/R
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    8 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    雪崩 额定
    2.5W
    无铅
    260
    未说明
    CSD85312
    COMPLEX
    增强型MOSFET
    2.5W
    11 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Source
    SWITCHING
    12.4m Ω @ 10A, 8V
    1.4V @ 250μA
    2390pF @ 10V
    15.2nC @ 4.5V
    27ns
    20V
    6 ns
    39A
    10V
    20V
    76A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 5V Drive
    40 pF
    3.3mm
    3.3mm
    900μm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD4865NT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4
    SILICON
    8.5A Ta 44A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    未说明
    未说明
    -
    -
    增强型MOSFET
    1.92W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    10.9m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    827pF @ 12V
    10.8nC @ 4.5V
    19ns
    -
    19 ns
    44A
    20V
    25V
    87A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2010
    Tin (Sn)
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    DRAIN
    ±20V
    8.5A
    0.0109Ohm
    50 mJ
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