Texas Instruments CSD85312Q3E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Gold

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

24 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

2.5W

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD85312

配置

COMPLEX

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Common Source

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

12.4m Ω @ 10A, 8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2390pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15.2nC @ 4.5V

上升时间

27ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

39A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

76A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate, 5V Drive

反馈上限-最大值 (Crss)

40 pF

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

器件厚度

900μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅