您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 CSD87353Q5D vs IPD050N03LGATMA1

CSD87353Q5D备选型号: IPD050N03LGATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出的数量
  • 效率
  • 输出类型
  • 最大输出电流
  • 输入电压-Nom
  • 模拟 IC - 其他类型
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 最大输出电压
  • 场效应管类型
  • 最大输入电压
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 切换器配置
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 附加功能
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • Texas Instruments
    CSD87353Q5D
    Texas Instruments
    30V, Nch synchronous buck NexFET MOSFET™, SON5x6 PowerBlock, 40A 8-LSON-CLIP -55 to 150
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerLDFN
    8
    23 ns
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    NexFET™
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    12W
    260
    1
    CSD87353
    8
    1
    95 %
    可调式
    25A
    12V
    开关控制器
    Dual
    12W
    1V
    2 N-Channel (Half Bridge)
    27V
    2.1V @ 250μA
    3190pF @ 15V
    19nC @ 4.5V
    10ns
    30V
    4.6 ns
    PUSH-PULL
    40A
    1.15V
    30V
    逻辑电平门
    3.4 Ω
    1.5mm
    5mm
    6mm
    1.5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD050N03LGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    -
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    未说明
    -
    -
    4
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    68W
    -
    N-Channel
    -
    2.2V @ 250μA
    3200pF @ 15V
    31nC @ 10V
    13ns
    -
    3.8 ns
    -
    50A
    20V
    30V
    -
    -
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin
    SILICON
    2008
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    鸥翼
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    增强型MOSFET
    DRAIN
    6.7 ns
    SWITCHING
    5m Ω @ 30A, 10V
    无卤素
    ±20V
    TO-252AA
    30V
    60 mJ
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-252 对比
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 34V 44A 8TDSON 对比
IRFH8334TRPBF IRFH8334TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN 对比