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首页 全部分类 CSD87353Q5D vs IRFH8334TRPBF

CSD87353Q5D备选型号: IRFH8334TRPBF

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  • 输出类型
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  • 模拟 IC - 其他类型
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  • 功率耗散
  • 最大输出电压
  • 场效应管类型
  • 最大输入电压
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 切换器配置
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Texas Instruments
    CSD87353Q5D
    Texas Instruments
    30V, Nch synchronous buck NexFET MOSFET™, SON5x6 PowerBlock, 40A 8-LSON-CLIP -55 to 150
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerLDFN
    8
    23 ns
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    NexFET™
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    12W
    260
    1
    CSD87353
    8
    1
    95 %
    可调式
    25A
    12V
    开关控制器
    Dual
    12W
    1V
    2 N-Channel (Half Bridge)
    27V
    2.1V @ 250μA
    3190pF @ 15V
    19nC @ 4.5V
    10ns
    30V
    4.6 ns
    PUSH-PULL
    40A
    1.15V
    30V
    逻辑电平门
    3.4 Ω
    1.5mm
    5mm
    6mm
    1.5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8334TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    14A Ta 44A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    260
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3.2W
    -
    N-Channel
    -
    2.35V @ 25μA
    1180pF @ 10V
    15nC @ 10V
    14ns
    -
    4.6 ns
    -
    14A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    2007
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    FLAT
    30
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8.3 ns
    SWITCHING
    9m Ω @ 20A, 10V
    ±20V
    0.009Ohm
    35 mJ
    1.8 V
    无SVHC
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