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首页 全部分类 CSD87355Q5DT vs FDD8880

CSD87355Q5DT备选型号: FDD8880

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  • 功率 - 最大
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  • 无铅
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  • 额定电流
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  • 元素配置
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD87355Q5DT
    Texas Instruments
    MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerLDFN
    8
    -55°C~155°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    2.8W
    无铅
    1
    1.27mm
    not_compliant
    CSD87355
    12V
    开关稳压器
    2.8W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    27V
    1.9V @ 250μA
    脉宽调制
    1860pF @ 15V
    13.7nC @ 4.5V
    30V
    BUCK
    45A
    1500kHz
    Logic Level Gate, 5V Drive
    5mm
    6mm
    1.5mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD8880
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    2.5V @ 250μA
    -
    1260pF @ 15V
    31nC @ 10V
    -
    -
    58A
    -
    -
    6.73mm
    6.22mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    260.37mg
    SILICON
    13A Ta 58A Tc
    2004
    EAR99
    9MOhm
    30V
    58A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    55W
    DRAIN
    8 ns
    SWITCHING
    9m Ω @ 35A, 10V
    91ns
    ±20V
    32 ns
    2.5V
    TO-252AA
    20V
    30V
    2.39mm
    无SVHC
    无
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