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CSD87355Q5DT备选型号: IPD060N03LGATMA1

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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • Texas Instruments
    CSD87355Q5DT
    Texas Instruments
    MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerLDFN
    8
    -55°C~155°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    2.8W
    无铅
    1
    1.27mm
    not_compliant
    CSD87355
    12V
    开关稳压器
    2.8W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    27V
    1.9V @ 250μA
    脉宽调制
    1860pF @ 15V
    13.7nC @ 4.5V
    30V
    BUCK
    45A
    1500kHz
    Logic Level Gate, 5V Drive
    5mm
    6mm
    1.5mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD060N03LGATMA1
    Infineon Technologies
    N-KANAL POWER MOS
    -
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    -
    not_compliant
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    2.2V @ 250μA
    -
    2400pF @ 15V
    23nC @ 10V
    -
    -
    50A
    -
    -
    6.73mm
    6.22mm
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    SILICON
    50A Tc
    2008
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    未说明
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    56W
    DRAIN
    5 ns
    SWITCHING
    6m Ω @ 30A, 10V
    无卤素
    3ns
    ±20V
    20V
    30V
    0.009Ohm
    30V
    60 mJ
    2.41mm
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