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首页 全部分类 CSD87502Q2 vs DMG6402LDM-7

CSD87502Q2备选型号: DMG6402LDM-7

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD87502Q2
    Texas Instruments
    MOSFET 30V Dual N-Ch Common Drain NexFET
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    2.3W
    无铅
    CSD87502
    Dual
    增强型MOSFET
    DRAIN
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    32.4m Ω @ 4A, 10V
    2V @ 250μA
    353pF @ 15V
    6nC @ 10V
    30V
    5A
    5A
    23A
    30V
    3.1 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    29 pF
    2mm
    2mm
    750μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMG6402LDM-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-26
    -
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    SILICON
    5.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    -
    鸥翼
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    27m Ω @ 7A, 10V
    2V @ 250μA
    404pF @ 15V
    9.2nC @ 10V
    30V
    5.3A
    -
    -
    30V
    -
    -
    -
    -
    3.1mm
    1.7mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2012
    DUAL
    260
    40
    6
    1
    1.12W
    3.41 ns
    6.18ns
    ±20V
    2.84 ns
    20V
    0.027Ohm
    1.3mm
    无
  • 添加型号
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DMG6402LDM-7 DMG6402LDM-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-26 对比
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3 对比