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首页 全部分类 CSD87502Q2 vs IRLML0030TRPBF

CSD87502Q2备选型号: IRLML0030TRPBF

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
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  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
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  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD87502Q2
    Texas Instruments
    MOSFET 30V Dual N-Ch Common Drain NexFET
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    2.3W
    无铅
    CSD87502
    Dual
    增强型MOSFET
    DRAIN
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    32.4m Ω @ 4A, 10V
    2V @ 250μA
    353pF @ 15V
    6nC @ 10V
    30V
    5A
    5A
    23A
    30V
    3.1 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    29 pF
    2mm
    2mm
    750μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML0030TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    5.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    -
    鸥翼
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    27m Ω @ 5.2A, 10V
    2.3V @ 25μA
    382pF @ 15V
    2.6nC @ 4.5V
    -
    5.3A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3.0226mm
    1.397mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1998
    27MOhm
    DUAL
    260
    30
    1
    1.3W
    5.2 ns
    4.4ns
    ±20V
    4.4 ns
    1.7V
    20V
    30V
    17 ns
    150°C
    1.7 V
    1.12mm
    无SVHC
    无
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