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首页 全部分类 CTA2P1N-7-F vs DMN65D8LDW-7

CTA2P1N-7-F备选型号: DMN65D8LDW-7

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最高工作温度
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  • 应用
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 上升时间-最大值
  • 极性
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 增益带宽积
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 连续放电电流(ID)
  • 转换频率
  • 输入电容
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 最小直流增益（hFE）
  • 漏源电阻
  • 连续集电极电流
  • VCEsat-最大值
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 电阻
  • 附加功能
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    CTA2P1N-7-F
    Diodes Incorporated
    TRANS ARRAY PNP/N-CH 40V SOT363
    19 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    6.010099mg
    1
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    150°C
    -55°C
    通用型
    45V
    600mA PNP 115mA N-Channel
    150mW
    鸥翼
    260
    40
    CTA2P1N
    6
    不合格
    20ns
    PNP
    Dual
    7 ns
    200MHz
    60V
    PNP, N-Channel
    -40V
    115mA
    200MHz
    22pF
    -40V
    -5V
    20
    13.5Ohm
    -600mA
    0.75 V
    255ns
    35ns
    30ns
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN65D8LDW-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
    15 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    6.010099mg
    2
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    300mW
    鸥翼
    260
    40
    DMN65D8LDW
    6
    -
    -
    -
    -
    3.3 ns
    -
    60V
    -
    -
    180mA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.1mm
    2.2mm
    1.35mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    6Ohm
    HIGH RELIABILITY
    增强型MOSFET
    300mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    6 Ω @ 115mA, 10V
    2V @ 250μA
    22pF @ 25V
    0.87nC @ 10V
    3.2ns
    6.3 ns
    20V
    0.15A
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    无SVHC
    无
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 对比
DMN66D0LDW-7 DMN66D0LDW-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET 250mW 60Vdss 对比