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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.196992
10
¥0.185842
100
¥0.175322
500
¥0.165398
1000
¥0.156036
Diodes Incorporated DMN66D0LDW-7
- 收藏
- 对比
DMN66D0LDW-7
671-DMN66D0LDW-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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MOSFET 250mW 60Vdss
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN66D0LDW-7详情
Diodes Incorporated DMN66D0LDW-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
供应商器件包装
SOT-363
质量
6.010099mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
115mA Ta
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
33 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2011
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
250mW
通道数量
2
元素配置
Dual
功率耗散
250mW
接通延迟时间
10 ns
功率 - 最大
250mW Ta
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
6Ohm @ 115mA, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
23pF @ 25V
漏源电压 (Vdss)
60V
连续放电电流(ID)
115mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
输入电容
23pF
场效应管特性
Standard
漏源电阻
6Ohm
最大rds
5 Ω
高度
1mm
长度
2.2mm
宽度
1.35mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMN66D0LDW-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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