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首页 全部分类 CUS08F30,H3F vs ES1JFL

CUS08F30,H3F备选型号: ES1JFL

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  • Reach合规守则
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  • 元素配置
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  • 二极管类型
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  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
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  • 工作温度 - 结点
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  • 平均整流电流
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 电容@Vr, F
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 反向恢复时间
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    CUS08F30,H3F
    Toshiba Semiconductor and Storage
    DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC
    12 Weeks
    SC-76, SOD-323
    表面贴装
    Silver, Tin
    表面贴装
    2
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2014
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    125°C
    -55°C
    170pF
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    unknown
    未说明
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    50μA @ 30V
    220mV @ 10mA
    800mA
    125°C Max
    0.8A
    30V
    800mA
    50μA
    30V
    170pF @ 0V 1MHz
    5A
    30V
    5A
    125°C
    1.15mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ES1JFL
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
    15 Weeks
    SOD-123F
    表面贴装
    -
    表面贴装
    -
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    150°C
    -55°C
    7pF
    DUAL
    FLAT
    260
    not_compliant
    未说明
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    500nA @ 600V
    1.7V @ 1A
    1A
    -55°C~150°C
    1A
    600V
    1A
    10μA
    600V
    7pF @ 4V 1MHz
    -
    -
    30A
    150°C
    1.08mm
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    27.6mg
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.10.00.80
    AEC-Q101
    R-PDSO-F2
    35 ns
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