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首页 全部分类 CUS08F30,H3F vs S1MFL

CUS08F30,H3F备选型号: S1MFL

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  • 峰值反向电流
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  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 系列
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 平均整流电流（Io）
  • 反向恢复时间
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    CUS08F30,H3F
    Toshiba Semiconductor and Storage
    DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC
    12 Weeks
    SC-76, SOD-323
    表面贴装
    Silver, Tin
    表面贴装
    2
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2014
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    125°C
    -55°C
    170pF
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    unknown
    未说明
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    50μA @ 30V
    220mV @ 10mA
    800mA
    125°C Max
    0.8A
    30V
    800mA
    50μA
    30V
    170pF @ 0V 1MHz
    5A
    30V
    5A
    125°C
    1.15mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    S1MFL
    ON Semiconductor
    DIODE GP 1000V 1A SOD123F
    10 Weeks
    SOD-123F
    表面贴装
    -
    表面贴装
    -
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    150°C
    -55°C
    4pF
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    1μA @ 1000V
    1.1V @ 1A
    1A
    -50°C~150°C
    -
    1kV
    1A
    1μA
    1kV
    4pF @ 4V 1MHz
    -
    1kV
    30A
    150°C
    1.08mm
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    SOD-123F
    27.6mg
    Automotive, AEC-Q101
    1000V
    1A
    2 μs
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