CY14B108M-ZSP45XI备选型号: IS62WV51216BLL-55TLI
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 电源电流
- 逻辑功能
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 密度
- 待机电流-最大值
- 访问时间(最大)
- 字长
- 时间格式
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 端口的数量
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 最高频率
- I/O类型
- 同步/异步
- 高度
- 宽度
- 达到SVHC
- IC NVSRAM 8MBIT 45NS 54TSOP12 WeeksTin表面贴装表面贴装54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)54Non-Volatile-40°C~85°C TATray2005e3活跃3 (168 Hours)543A991.B.2.A2.7V~3.6VDUAL26013V0.8mm30CY14B108543V3.6V2.7V8Mb 512K x 1657mAClockNVSRAMParallel16b512KX161645ns8 Mb0.01A45 ns16bHH:MM:SS22.415mm1.2mm无ROHS3 Compliant无铅------------
- SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II8 Weeks--表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)44Volatile-40°C~85°C TATray-e3活跃3 (168 Hours)44-2.5V~3.6VDUAL26013V0.8mm40-443.3V3.6V2.5V8Mb 512K x 165mA-SRAMParallel---55ns8 Mb0.00002A55 ns16b-18.52mm-无ROHS3 Compliant无铅YESyesMatte Tin (Sn) - annealed13-STATE19b18MHzCOMMONAsynchronous1.05mm10.29mm无SVHC
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY14B108N-ZSP45XI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | NVRAM NVSRAM Parallel 8M-Bit 3V 54-Pin TSOP-II | 对比 | |
| IS62WV51216BLL-55TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II | 对比 | |
| CY14B108N-ZSP45XIT | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC NVSRAM 8M PARALLEL 54TSOP | 对比 |


哦! 它是空的。