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首页 全部分类 CY14B116M-ZSP25XI vs IS61WV102416BLL-10TLI

CY14B116M-ZSP25XI备选型号: IS61WV102416BLL-10TLI

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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
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  • 内存大小
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  • 电压 - 供电 （最大值）
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  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • Current - Supply (Nom)
  • 无铅代码
  • 端口的数量
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 高度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY14B116M-ZSP25XI
    Cypress Semiconductor Corp
    NVRAM NVSRAM Parallel 16M-Bit 3V 54-Pin TSOP-II Tray
    13 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    54
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2005
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    54
    3A991.B.2.A
    Matte Tin (Sn)
    3V
    DUAL
    260
    1
    0.8mm
    30
    不合格
    16Mb 1M x 16
    ASYNCHRONOUS
    NVSRAM
    Parallel
    16b
    1MX16
    16
    25ns
    16 Mb
    0.00075A
    25 ns
    3.6V
    2.7V
    22.415mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61WV102416BLL-10TLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I
    8 Weeks
    -
    -
    表面贴装
    48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
    48
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    -
    Matte Tin (Sn) - annealed
    3.3V
    DUAL
    260
    1
    0.5mm
    40
    -
    16Mb 1M x 16
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    -
    -
    10ns
    16 Mb
    0.02A
    -
    3.6V
    2.4V
    18.6mm
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    95mA
    yes
    1
    3-STATE
    20b
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    1.05mm
    12.2mm
    无SVHC
    无
    无铅
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