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首页 全部分类 CY14V256LA-BA35XI vs AS6C8008A-45BIN

CY14V256LA-BA35XI备选型号: AS6C8008A-45BIN

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  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 记忆密度
  • 宽度
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY14V256LA-BA35XI
    Cypress Semiconductor Corp
    NVRAM 256Kb 35ns 32K x 8 nvSRAM
    16 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    48-TFBGA
    48
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2009
    e1
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    3A991.B.2.A
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    8542.32.00.41
    2.7V~3.6V
    BOTTOM
    260
    1
    3.3V
    0.75mm
    30
    CY14V256
    不合格
    3.3V
    3.6V
    3V
    256Kb 32K x 8
    ASYNCHRONOUS
    NVSRAM
    Parallel
    8b
    32KX8
    8
    35ns
    256 kb
    0.008A
    35 ns
    8b
    10mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • Alliance Memory, Inc.
    AS6C8008A-45BIN
    Alliance Memory, Inc.
    SRAM 8M LOW, 3V, 1024K x 8 Asynch SRAM
    8 Weeks
    -
    -
    表面贴装
    48-VFBGA
    48
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2012
    -
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    -
    -
    -
    2.7V~3.6V
    BOTTOM
    未说明
    1
    3.3V
    0.75mm
    未说明
    -
    -
    -
    3.6V
    2.7V
    8Mb 1M x 8
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    1MX8
    8
    45ns
    -
    -
    45 ns
    -
    10mm
    1mm
    ROHS3 Compliant
    YES
    8388608 bit
    8mm
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