CY14V256LA-BA35XI备选型号: CY14B104LA-BA45XIT
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- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 资历状况
- 内存大小
- 操作模式
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 密度
- 待机电流-最大值
- 访问时间(最大)
- 字长
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- Current - Supply (Nom)
- NVRAM 256Kb 35ns 32K x 8 nvSRAM16 WeeksCopper, Silver, Tin表面贴装表面贴装48-TFBGA48Non-Volatile-40°C~85°C TATray2009e1yes活跃3 (168 Hours)483A991.B.2.ATin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)8542.32.00.413.3VBOTTOM26010.75mm30CY14V256不合格256Kb 32K x 8ASYNCHRONOUSNVSRAMParallel8b32KX8835ns256 kb0.008A35 ns8b3.6V3V10mm1.2mmROHS3 Compliant-
- IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA16 WeeksCopper, Silver, Tin表面贴装表面贴装48-TFBGA48Non-Volatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)2011e1-活跃3 (168 Hours)483A991.B.2.ATin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)8542.32.00.413VBOTTOM26010.75mm30CY14B104不合格4Mb 512K x 8ASYNCHRONOUSNVSRAMParallel8b512KX8845ns4 Mb0.005A45 ns8b3.6V2.7V10mm1.2mmROHS3 Compliant52mA
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY14B104LA-BA45XIT | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 48-TFBGA | IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA | 对比 | |
![]() | AS6C8008A-45BIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 48-VFBGA | SRAM 8M LOW, 3V, 1024K x 8 Asynch SRAM | 对比 |
| CY14B101LA-BA45XI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 48-TFBGA | IC NVSRAM 1M PARALLEL 48FBGA | 对比 |



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