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首页 全部分类 CY62136FV30LL-45BVXI vs IS62WV12816BLL-55BLI

CY62136FV30LL-45BVXI备选型号: IS62WV12816BLL-55BLI

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  • 最高频率
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  • I/O类型
  • 同步/异步
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 数据总线宽度
  • 待机电压-最小值
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY62136FV30LL-45BVXI
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 2MBIT 45NS 48VFBGA
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    48-VFBGA
    48
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    MoBL®
    2001
    e1
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    2.2V~3.6V
    BOTTOM
    260
    1
    3V
    0.75mm
    30
    CY62136
    48
    3V
    3.6V
    2.2V
    2Mb 128K x 16
    1
    18mA
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    16
    45ns
    17b
    2 Mb
    0.000004A
    22MHz
    45 ns
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    8mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS62WV12816BLL-55BLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    48-TFBGA
    48
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    -
    e1
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    48
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    2.5V~3.6V
    BOTTOM
    260
    1
    3V
    0.75mm
    40
    -
    48
    3.3V
    3.6V
    2.5V
    2Mb 128K x 16
    1
    3mA
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    16
    55ns
    17b
    2 Mb
    -
    -
    55 ns
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    8mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    16b
    1V
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