Cypress Semiconductor Corp CY62136FV30LL-45BVXI
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CY62136FV30LL-45BVXI
603-CY62136FV30LL-45BVXI
存储器
48-VFBGA
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IC SRAM 2MBIT 45NS 48VFBGA
--最小包装量--
CY62136FV30LL-45BVXI详情
Cypress Semiconductor Corp CY62136FV30LL-45BVXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-VFBGA
引脚数
48
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
系列
MoBL®
已出版
2001
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 供电
2.2V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.75mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
CY62136
引脚数量
48
工作电源电压
3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.2V
内存大小
2Mb 128K x 16
端口的数量
1
电源电流
18mA
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
45ns
地址总线宽度
17b
密度
2 Mb
待机电流-最大值
0.000004A
最高频率
22MHz
访问时间(最大)
45 ns
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
16b
长度
8mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CY62136FV30LL-45BVXI拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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