CY62177EV30LL-55BAXI备选型号: AS6C8016A-55BIN

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  • 同步/异步
  • 备用内存宽度
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  • 高度
  • 长度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 无铅代码
  • Cypress Semiconductor Corp
    SRAM Chip Async Single 3V 32M-Bit 4M/2M x 8/16-Bit 55ns 48-Pin FBGA Tray
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    48-TFBGA
    48
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    MoBL®
    2001
    e1
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    2.2V~3.7V
    BOTTOM
    260
    1
    3V
    0.75mm
    40
    CY62177
    48
    3V
    3.7V
    2.2V
    32Mb 4M x 8 2M x 16
    1
    45mA
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    16
    55ns
    21b
    32 Mb
    55 ns
    COMMON
    Asynchronous
    8
    85°C
    1.2mm
    9.5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Alliance Memory, Inc.
    SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48-Pin FBGA
    8 Weeks
    -
    表面贴装
    48-VFBGA
    48
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    1997
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    -
    -
    2.7V~3.6V
    BOTTOM
    -
    1
    3.3V
    0.75mm
    -
    -
    48
    3.3V
    3.6V
    2.7V
    8Mb 512K x 16
    1
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    16
    55ns
    19b
    8 Mb
    55 ns
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    YES
    yes
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