CY62177EV30LL-55BAXI
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Cypress Semiconductor Corp CY62177EV30LL-55BAXI

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型号

CY62177EV30LL-55BAXI

utmel 编号

603-CY62177EV30LL-55BAXI

商品类别

存储器

封装

48-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Chip Async Single 3V 32M-Bit 4M/2M x 8/16-Bit 55ns 48-Pin FBGA Tray

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CY62177EV30LL-55BAXI
CY62177EV30LL-55BAXI Cypress Semiconductor Corp SRAM Chip Async Single 3V 32M-Bit 4M/2M x 8/16-Bit 55ns 48-Pin FBGA Tray

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CY62177EV30LL-55BAXI详情

Cypress Semiconductor Corp CY62177EV30LL-55BAXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    48-TFBGA

  • 引脚数

    48

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tray

  • 系列

    MoBL®

  • 已出版

    2001

  • JESD-609代码

    e1

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    48

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 电压 - 供电

    2.2V~3.7V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3V

  • 端子间距

    0.75mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    CY62177

  • 引脚数量

    48

  • 工作电源电压

    3V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.7V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.2V

  • 内存大小

    32Mb 4M x 8 2M x 16

  • 端口的数量

    1

  • 电源电流

    45mA

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    16

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    55ns

  • 地址总线宽度

    21b

  • 密度

    32 Mb

  • 访问时间(最大)

    55 ns

  • I/O类型

    COMMON

  • 同步/异步

    Asynchronous

  • 备用内存宽度

    8

  • 环境温度范围高

    85°C

  • 高度

    1.2mm

  • 长度

    9.5mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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