CY7C025-25AC备选型号: 71V30L35TFGI
- 隐藏公共属性
- 型号:
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- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流-最大值
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 输出启用
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 引脚数
- 无铅代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 终端形式
- 工作电源电压
- 温度等级
- 界面
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 电源电流
- 访问时间
- 地址总线宽度
- 密度
- 同步/异步
- 字长
- 器件厚度
- 辐射硬化
- 无铅
- IC SRAM 128K PARALLEL 100TQFP表面贴装100-LQFPYESVolatile0°C~70°C TATray2004e0Obsolete3 (168 Hours)100EAR99锡铅中断标志8542.32.00.414.5V~5.5VQUAD23515V0.5mmnot_compliant未说明CY7C025100S-PQFP-G100不合格5.5V5V4.5V128Kb 8K x 1620.25mASRAMParallel8KX163-STATE1625ns0.015A131072 bit25 nsCOMMON2VYES14mm1.6mm14mmNon-RoHS Compliant---------------------
- SRAM Chip Async Dual 3.3V 8K-Bit 1K x 8 35ns 64-Pin STQFP-LQFP-RAM, SDR, SRAM-Bulk2009e3活跃3 (168 Hours)64EAR99Matte Tin (Sn) - annealed---QUAD26013.3V0.5mm-30-64-----1kB2---1KX83-STATE-----COMMON3V-10mm-10mm符合RoHS标准7 Weeks表面贴装64yes85°C-40°CFLAT3.3VINDUSTRIALParallel3.6V3V145mA35 ns20b8 kbAsynchronous8b1.4mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61LV12816L-10LQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 44-LQFP | SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-bit 128K x 16 10ns 44-Pin LQFP | 对比 | |
| IS61NLP102418B-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 100-LQFP | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP | 对比 | |
![]() | 71V30L35TFGI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | LQFP | SRAM Chip Async Dual 3.3V 8K-Bit 1K x 8 35ns 64-Pin STQFP | 对比 |



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