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首页 全部分类 CY7C09269V-7AXC vs 70V261L25PFGI

CY7C09269V-7AXC备选型号: 70V261L25PFGI

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  • 终端形式
  • 温度等级
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  • 最小电源电压
  • 待机电流-最大值
  • 宽度
  • 器件厚度
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C09269V-7AXC
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 256K PARALLEL 100TQFP
    表面贴装
    表面贴装
    100-LQFP
    100
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    1997
    e4
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    100
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
    3V~3.6V
    QUAD
    260
    1
    3.3V
    0.5mm
    20
    CY7C09269
    100
    3.3V
    3.6V
    3V
    256Kb 16K x 16
    2
    275mA
    83MHz
    7.5ns
    SRAM
    Parallel
    16KX16
    3-STATE
    16
    14b
    256 kb
    COMMON
    Synchronous
    16b
    3V
    14mm
    1.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    70V261L25PFGI
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Dual 3.3V 256K-bit 16K x 16 25ns 100-Pin TQFP Tray
    表面贴装
    -
    TQFP
    100
    SDR
    -
    -
    2009
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    100
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    -
    QUAD
    260
    1
    3.3V
    0.5mm
    40
    -
    100
    3.3V
    -
    -
    32kB
    2
    185mA
    -
    25 ns
    -
    -
    16KX16
    3-STATE
    -
    14b
    256 kb
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    3V
    14mm
    1.6mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    7 Weeks
    85°C
    -40°C
    鸥翼
    INDUSTRIAL
    Parallel
    3.6V
    3V
    0.003A
    14mm
    1.4mm
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