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首页 全部分类 CY7C1303BV25-167BZC vs IS61QDB21M18A-250B4LI

CY7C1303BV25-167BZC备选型号: IS61QDB21M18A-250B4LI

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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 资历状况
  • 待机电压-最小值
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1303BV25-167BZC
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    165-LBGA
    165
    Volatile
    500mA
    0°C~70°C TA
    Tray
    2004
    e0
    no
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    165
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    流水线结构
    2.5V
    BOTTOM
    220
    1
    1mm
    CY7C1303
    18Mb 1M x 18
    2
    167MHz
    2.5 ns
    SRAM
    Parallel
    1MX18
    3-STATE
    18
    19b
    18 Mb
    SEPARATE
    Synchronous
    18b
    15mm
    1.4mm
    无
    Non-RoHS Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61QDB21M18A-250B4LI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM 18Mb 1Mx18 250Mhz QUAD Sync SRAM
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    165-LBGA
    165
    Volatile
    950mA
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    -
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    165
    -
    流水线结构
    1.8V
    BOTTOM
    -
    1
    1mm
    -
    18Mb 1M x 18
    2
    250MHz
    8.4 ns
    SRAM
    Parallel
    1MX18
    3-STATE
    18
    19b
    18 Mb
    SEPARATE
    Synchronous
    18b
    15mm
    1.4mm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    不合格
    1.7V
    1.89V
    1.71V
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