ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB21M18A-250B4LI

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

165-LBGA

表面安装

YES

引脚数

165

Memory Types

Volatile

Current - Supply (Nom)

950mA

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

165

附加功能

流水线结构

电压 - 供电

1.8V

端子位置

BOTTOM

功能数量

1

端子间距

1mm

资历状况

不合格

内存大小

18Mb 1M x 18

端口的数量

2

时钟频率

250MHz

访问时间

8.4 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

1MX18

输出特性

3-STATE

内存宽度

18

地址总线宽度

19b

密度

18 Mb

I/O类型

SEPARATE

同步/异步

Synchronous

字长

18b

待机电压-最小值

1.7V

电压 - 供电 （最大值）

1.89V

电压 - 供电 （最小值）

1.71V

长度

15mm

座位高度(最大)

1.4mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant