CY7C1371D-133BGC备选型号: 71T75602S133BGGI
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- 端子表面处理
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- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 基本部件号
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
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- 内存大小
- 端口的数量
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- 时钟频率
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- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 长度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 终端形式
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 温度等级
- 界面
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 待机电压-最小值
- 座位高度(最大)
- 宽度
- 器件厚度
- IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA表面贴装表面贴装119-BGA119Volatile0°C~70°C TATrayNoBL™2004e0noObsolete3 (168 Hours)1193A991.B.2.ATin/Lead (Sn/Pb)FLOW-THROUGH ARCHITECTURE3.135V~3.6VBOTTOM22013.3V1.27mmCY7C13711193.3V3.6V3.135V18Mb 512K x 364210mA133MHz6.5nsSRAMParallel512KX363-STATE3619b18 Mb0.07ACOMMONSynchronous36b22mm无Non-RoHS Compliant含铅--------------
- SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 512K x 36 4.2ns 119-Pin BGA Tube/Tray表面贴装-BGA119133MHz---2012e1yes活跃3 (168 Hours)119-Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)流水线结构-BOTTOM26012.5V--1192.5V--2.3MB1215mA-4.2 ns---3-STATE-19b18 Mb0.06ACOMMONSynchronous36b14mm无符合RoHS标准无铅8 Weeks85°C-40°CBALL133MHz30INDUSTRIALParallel2.625V2.375V2.38V2.36mm22mm2.15mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 71T75602S100BG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 512K x 36 5ns 119-Pin BGA Tube/Tray | 对比 |
![]() | CY7C1370D-200BGXC | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 119-BGA | IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA | 对比 |
![]() | 71T75602S133BGGI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 512K x 36 4.2ns 119-Pin BGA Tube/Tray | 对比 |





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