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首页 全部分类 CY7C1381D-100BZXI vs IS61QDB21M18A-250B4LI

CY7C1381D-100BZXI备选型号: IS61QDB21M18A-250B4LI

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
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  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 长度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 表面安装
  • 资历状况
  • 待机电压-最小值
  • 座位高度(最大)
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1381D-100BZXI
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 18MBIT 100MHZ 165FBGA
    表面贴装
    表面贴装
    165-LBGA
    165
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2004
    e1
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    165
    3A991.B.2.A
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
    3.135V~3.6V
    BOTTOM
    260
    1
    3.3V
    1mm
    40
    CY7C1381
    165
    3.3V
    3.6V
    3.135V
    18Mb 512K x 36
    4
    175mA
    100MHz
    8.5ns
    SRAM
    Parallel
    512KX36
    3-STATE
    36
    19b
    18 Mb
    0.07A
    COMMON
    Synchronous
    36b
    15mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61QDB21M18A-250B4LI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM 18Mb 1Mx18 250Mhz QUAD Sync SRAM
    -
    表面贴装
    165-LBGA
    165
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    -
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    165
    -
    -
    流水线结构
    1.71V~1.89V
    BOTTOM
    -
    1
    1.8V
    1mm
    -
    -
    165
    1.8V
    1.89V
    1.71V
    18Mb 1M x 18
    2
    950mA
    250MHz
    8.4 ns
    SRAM
    Parallel
    1MX18
    3-STATE
    18
    19b
    18 Mb
    -
    SEPARATE
    Synchronous
    18b
    15mm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    12 Weeks
    YES
    不合格
    1.7V
    1.4mm
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