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首页 全部分类 CY7C1412AV18-200BZI vs IS61QDB22M18A-250M3LI

CY7C1412AV18-200BZI备选型号: IS61QDB22M18A-250M3LI

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  • 安装类型
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  • 内存宽度
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  • 密度
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  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1412AV18-200BZI
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 36MBIT 200MHZ 165FBGA
    表面贴装
    表面贴装
    165-LBGA
    165
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2006
    e0
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    165
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    流水线结构
    1.7V~1.9V
    BOTTOM
    220
    1
    1.8V
    1mm
    not_compliant
    未说明
    CY7C1412
    165
    不合格
    1.8V
    1.9V
    1.7V
    36Mb 2M x 18
    2
    725mA
    200MHz
    450 ps
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    18
    20b
    36 Mb
    0.3A
    SEPARATE
    Synchronous
    18b
    1.7V
    17mm
    1.4mm
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61QDB22M18A-250M3LI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM 36Mb 2Mx18 250Mhz QUAD Sync SRAM
    -
    表面贴装
    165-LBGA
    165
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    -
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    165
    -
    流水线结构
    1.71V~1.89V
    BOTTOM
    -
    1
    1.8V
    1mm
    -
    -
    -
    165
    不合格
    1.8V
    1.89V
    1.71V
    36Mb 2M x 18
    2
    950mA
    250MHz
    8.4ns
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    36
    20b
    36 Mb
    -
    SEPARATE
    Synchronous
    18b
    1.7V
    17mm
    1.4mm
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
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