Cypress Semiconductor Corp CY7C1412AV18-200BZI
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CY7C1412AV18-200BZI
603-CY7C1412AV18-200BZI
存储器
165-LBGA
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IC SRAM 36MBIT 200MHZ 165FBGA
--最小包装量--
CY7C1412AV18-200BZI详情
Cypress Semiconductor Corp CY7C1412AV18-200BZI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
165-LBGA
引脚数
165
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2006
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
165
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
流水线结构
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
220
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
1mm
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
CY7C1412
引脚数量
165
资历状况
不合格
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
36Mb 2M x 18
端口的数量
2
电源电流
725mA
时钟频率
200MHz
访问时间
450 ps
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
18
地址总线宽度
20b
密度
36 Mb
待机电流-最大值
0.3A
I/O类型
SEPARATE
同步/异步
Synchronous
字长
18b
待机电压-最小值
1.7V
长度
17mm
座位高度(最大)
1.4mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
CY7C1412AV18-200BZI拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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