CYF0072V18L-133BGXI备选型号: IS61LF102418A-7.5B3
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- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 功能
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 元素配置
- 访问时间
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 内存宽度
- 密度
- 最高频率
- 并行/串行
- 内存IC类型
- 总线定向
- FWFT支持
- 可编程标志支持
- 输出启用
- 扩展类型
- 周期
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 无铅代码
- 附加功能
- 功能数量
- 端口的数量
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 辐射硬化
- IC MEMORYCopper, Silver, Tin表面贴装表面贴装209-BGA209-40°C~85°CTray2009e1Obsolete3 (168 Hours)209EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)8542.32.00.711.7V~1.9VBOTTOMBALL2601.5V1mm30CYF0072V18Synchronous1.8V1.575V1.425V72M 2M x 36Dual10ns36b2MX363672 Mb133MHzPARALLEL其他先进先出Uni-Directional无有YESWidth7.5 ns22mm1.96mmROHS3 Compliant无铅-----------------
- IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA--表面贴装165-TBGA1650°C~70°C TATray-e0Obsolete2 (1 Year)165-Tin/Lead (Sn/Pb)-3.3VBOTTOM---1mm------18Mb 1M x 18-7.5ns-1MX181818 Mb---------15mm-Non-RoHS Compliant-YESVolatilenoPIPELINED ARCHITECTURE, FLOW-THROUGH12117MHzSRAMParallel3-STATE20b0.06ACOMMON3.14V3.465V3.135V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61LF102418A-7.5B3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-TBGA | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA | 对比 | |
| CYF0036V33L-133BGXI | Cypress Semiconductor Corp | 逻辑 - FIFO 存储器 | 209-BGA | 36M PROGRAMMABLE FIFO 209FBGA | 对比 | |
| CYF0018V33L-133BGXI | Cypress Semiconductor Corp | 逻辑 - FIFO 存储器 | 209-BGA | 18M PROGRAMMABLE FIFO 209FBGA | 对比 |


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