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首页 全部分类 DF400R12KE3HOSA1 vs APTGT300A60TG

DF400R12KE3HOSA1备选型号: APTGT300A60TG

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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
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  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
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  • 无铅
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  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 输入电容
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    DF400R12KE3HOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 1200V 400A
    14 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    5
    SILICON
    1
    -40°C~125°C
    2002
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    5
    Single
    ISOLATED
    2000W
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    580A
    5mA
    1200V
    400 ns
    2.15V @ 15V, 400A
    830 ns
    沟渠现场停车
    无
    28nF @ 25V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT300A60TG
    Microsemi Corporation
    POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP4
    10
    SILICON
    600V
    -40°C~175°C TJ
    2009
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    9
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    10
    半桥
    ISOLATED
    935W
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    430A
    350μA
    -
    180 ns
    1.9V @ 15V, 300A
    370 ns
    沟渠现场停车
    有
    18.4nF @ 25V
    符合RoHS标准
    无铅
    935W
    R-XUFM-X9
    Dual
    115 ns
    电源控制
    18.4nF
    无
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