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首页 全部分类 DI9952T vs IRF7306TRPBF

DI9952T备选型号: IRF7306TRPBF

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  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 行间距
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    DI9952T
    Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
    表面贴装
    SOIC
    8
    Cut Tape (CT)
    1997
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2W
    3.7A
    30V
    2.9A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
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    -
  • Infineon Technologies
    IRF7306TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Tape & Reel (TR)
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    2W
    -3.6A
    30V
    -3.6A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SILICON
    3.6A
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    e3
    8
    EAR99
    100mOhm
    超低电阻
    -30V
    鸥翼
    IRF7306PBF
    6.3 mm
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    11 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    100m Ω @ 1.8A, 10V
    1V @ 250μA
    440pF @ 25V
    25nC @ 10V
    17ns
    18 ns
    -1V
    20V
    -30V
    14A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    80 ns
    150°C
    逻辑电平门
    -1 V
    1.75mm
    4.9784mm
    4.05mm
    无SVHC
    无
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