DI9952T备选型号: ZXMHC3F381N8TC

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 下降时间(典型值)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
    表面贴装
    SOIC
    8
    Cut Tape (CT)
    1997
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2W
    3.7A
    30V
    2.9A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
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    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Tape & Reel (TR)
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    870mW
    -
    30V
    3.36A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    17 Weeks
    表面贴装
    73.992255mg
    SILICON
    30 ns
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    8
    EAR99
    55mOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    ZXMHC3F381
    8
    增强型MOSFET
    1.35W
    1.9 ns
    2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
    SWITCHING
    33m Ω @ 5A, 10V
    3V @ 250μA
    430pF @ 15V
    9nC @ 10V
    3ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    21 ns
    1V
    20V
    -30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    4mm
    5mm
    1.5mm
    无SVHC
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