DI9952T备选型号: ZXMHC3F381N8TC
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- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 宽度
- 长度
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC表面贴装SOIC8Cut Tape (CT)1997Obsolete1 (Unlimited)2W3.7A30V2.9AROHS3 Compliant含铅----------------------------------------
- MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8Tape & Reel (TR)2009活跃1 (Unlimited)870mW-30V3.36AROHS3 Compliant无铅17 Weeks表面贴装73.992255mgSILICON30 ns-55°C~150°C TJe3yes8EAR9955mOhmMatte Tin (Sn)DUAL鸥翼26040ZXMHC3F3818增强型MOSFET1.35W1.9 ns2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)SWITCHING33m Ω @ 5A, 10V3V @ 250μA430pF @ 15V9nC @ 10V3nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL21 ns1V20V-30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门4mm5mm1.5mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7309TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC | 对比 |
![]() | IRF7306TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC | 对比 |





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