DKI04046备选型号: IPD088N04LGBTMA1
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- 工厂交货时间
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- 包装
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 40V 48A TO-25212 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6348A Tc150°C TJCut Tape (CT)2015yesDiscontinued1 (Unlimited)未说明unknown未说明N-Channel5.2m Ω @ 35.4A, 10V2.5V @ 650μA2410pF @ 25V35.3nC @ 10V40V±20V48A符合RoHS标准无铅--------------------
- MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6350A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2007yesObsolete1 (Unlimited)260unknown40N-Channel8.8m Ω @ 50A, 10V2V @ 16μA2100pF @ 20V28nC @ 10V40V±20V50A符合RoHS标准-SILICONOptiMOS™e32EAR99哑光锡逻辑电平兼容SINGLE鸥翼4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING47A0.0088Ohm40V10 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin TO-252 T/R | 对比 |
![]() | FDD9410-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 40V 50A DPAK | 对比 |
![]() | IPD088N04LGBTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 | 对比 |





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