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首页 全部分类 DKI04046 vs IPD50N04S408ATMA1

DKI04046备选型号: IPD50N04S408ATMA1

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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Sanken
    DKI04046
    Sanken
    MOSFET N-CH 40V 48A TO-252
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    48A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2015
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    未说明
    unknown
    未说明
    N-Channel
    5.2m Ω @ 35.4A, 10V
    2.5V @ 650μA
    2410pF @ 25V
    35.3nC @ 10V
    40V
    ±20V
    48A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50N04S408ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin TO-252 T/R
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    46W Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    N-Channel
    7.9m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 17μA
    1780pF @ 6V
    22.4nC @ 10V
    40V
    ±20V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    SILICON
    OptiMOS™
    e3
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    50A
    0.0079Ohm
    200A
    40V
    55 mJ
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