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首页 全部分类 DMB53D0UV-7 vs DMP58D0SV-7

DMB53D0UV-7备选型号: DMP58D0SV-7

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  • 晶体管类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 场效应管技术
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  • 漏源电阻
  • VCEsat-最大值
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 电阻
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMB53D0UV-7
    Diodes Incorporated
    N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    3.005049mg
    1
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    通用型
    HIGH RELIABILITY
    100mA PNP 160mA N-Channel
    250mW
    DUAL
    FLAT
    260
    40
    6
    NPN
    单个内置双极晶体管和二极管
    1
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    50V
    NPN, N-Channel
    160mA
    12V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    200
    3.1Ohm
    0.3 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP58D0SV-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET PMOS-Dual
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    3.005049mg
    2
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    HIGH RELIABILITY
    -
    400mW
    -
    FLAT
    260
    40
    6
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    50V
    -
    160mA
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    8Ohm
    Dual
    400mW
    2 P-Channel (Dual)
    8 Ω @ 100mA, 5V
    2.1V @ 250μA
    27pF @ 25V
    50V
    逻辑电平门
    600μm
    1.6mm
    1.2mm
    无铅
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