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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.507986
10
¥0.479232
100
¥0.452106
500
¥0.426515
1000
¥0.402372
Diodes Incorporated DMB53D0UV-7
- 收藏
- 对比
DMB53D0UV-7
671-DMB53D0UV-7
晶体管 - 特殊用途
SOT-563, SOT-666
大陆
立即发货

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMB53D0UV-7详情
Diodes Incorporated DMB53D0UV-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
质量
3.005049mg
Number of Elements
1
Voltage Rated
45V NPN 50V N-Channel
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
应用
通用型
附加功能
HIGH RELIABILITY
额定电流
100mA PNP 160mA N-Channel
最大功率耗散
250mW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
160mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
6
极性
NPN
配置
单个内置双极晶体管和二极管
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
50V
晶体管类型
NPN, N-Channel
连续放电电流(ID)
160mA
栅极至源极电压(Vgs)
12V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最小直流增益(hFE)
200
漏源电阻
3.1Ohm
VCEsat-最大值
0.3 V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMB53D0UV-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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Diodes
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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