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DMC1016UPD-13备选型号: DMN2020UFCL-7
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- ECCN 代码
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- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 场效应管特性
- RoHS状态
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- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 无铅
MOSFET 8V 24V POWERDI5060-822 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN89.5A 8.7A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)2.3W未说明未说明N and P-Channel17m Ω @ 11.8A, 4.5V1.5V @ 250μA1454pF @ 6V32nC @ 8V12V 20V8.7AStandardROHS3 Compliant-----------
MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN23 Weeks表面贴装表面贴装6-PowerUFDFN69A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e4-活跃1 (Unlimited)EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)---N-Channel14m Ω @ 9A, 4.5V900mV @ 250μA1788pF @ 10V21.5nC @ 4.5V-9A-ROHS3 Compliant1.788nFDMN20201Single3.8 ns5.7ns±10V6.8 ns10V20V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN2014LHAB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-UFDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN | 对比 |
 | FDMA7628 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-WDFN Exposed Pad | MOSFET Snlg PT4, N 20/8V in MLP 2.05x2.05 | 对比 |
| DMN2020UFCL-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-PowerUFDFN | MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN | 对比 |
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