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首页 全部分类 DMC2041UFDB-7 vs FDS8928A

DMC2041UFDB-7备选型号: FDS8928A

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  • JESD-609代码
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMC2041UFDB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    SILICON
    4.7A 3.2A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    1.4W
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N and P-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 4.2A, 4.5V
    1.4V @ 250μA
    713pF @ 10V
    15nC @ 8V
    20V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    3.2A
    4.7A
    0.04Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS8928A
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 5.5A/4A 8-Pin SOIC N T/R
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    SILICON
    5.5A 4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    2W
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N and P-Channel
    SWITCHING
    30m Ω @ 5.5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    900pF @ 10V
    28nC @ 4.5V
    30V 20V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    5.5A
    -
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    Tin
    8
    230.4mg
    yes
    30MOhm
    5.5A
    2W
    900mW
    23ns
    90 ns
    670mV
    8V
    -20V
    670 mV
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    无铅
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