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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.930426
10
¥3.707948
100
¥3.498066
500
¥3.300061
1000
¥3.113266
ON Semiconductor FDS8928A
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- 对比
FDS8928A
1807-FDS8928A
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 5.5A/4A 8-Pin SOIC N T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDS8928A详情
ON Semiconductor FDS8928A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
230.4mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.5A 4A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
260 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
30MOhm
最大功率耗散
2W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
5.5A
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2W
功率 - 最大
900mW
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
30m Ω @ 5.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
900pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
28nC @ 4.5V
上升时间
23ns
漏源电压 (Vdss)
30V 20V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
90 ns
连续放电电流(ID)
5.5A
阈值电压
670mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
栅源电压
670 mV
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDS8928A拓展信息








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