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首页 全部分类 DMC2700UDM-7 vs DMG6402LDM-7

DMC2700UDM-7备选型号: DMG6402LDM-7

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 引脚数量
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • DS 击穿电压-最小值
  • Diodes Incorporated
    DMC2700UDM-7
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    SILICON
    1.34A 1.14A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
    1.12W
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    DMC2700UDM
    6
    增强型MOSFET
    1.12W
    5.1 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    400m Ω @ 600mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    60.67pF @ 16V
    0.74nC @ 4.5V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    1.14A
    6V
    1.34A
    0.4Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.3mm
    3.1mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMG6402LDM-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-26
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    SILICON
    5.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    -
    6
    增强型MOSFET
    1.12W
    3.41 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    27m Ω @ 7A, 10V
    2V @ 250μA
    404pF @ 15V
    9.2nC @ 10V
    -
    5.3A
    20V
    -
    0.027Ohm
    -
    -
    -
    1.3mm
    3.1mm
    1.7mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1
    Single
    6.18ns
    30V
    ±20V
    2.84 ns
    30V
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