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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.833232
10
¥4.55965
100
¥4.301557
500
¥4.058074
1000
¥3.828371
Diodes Incorporated DMN2004DMK-7
- 收藏
- 对比
DMN2004DMK-7
671-DMN2004DMK-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-23-6
大陆
立即发货

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN2004DMK-7详情
Diodes Incorporated DMN2004DMK-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
225mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
540mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DMN2004DMK
引脚数量
6
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
225mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
550m Ω @ 540mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
150pF @ 16V
连续放电电流(ID)
540mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.54A
漏极-源极导通最大电阻
0.55Ohm
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
1.1mm
长度
3mm
宽度
1.6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMN2004DMK-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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