DMC3028LSDXQ-13备选型号: BSO220N03MSGXUMA1
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- 工厂交货时间
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- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 系列
- 功率耗散
- Vgs(最大值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC7 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON5.5A 5.8A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2000e3活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY1.2WDUAL鸥翼未说明未说明AEC-Q101SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN and P-ChannelSWITCHING27m Ω @ 6A, 10V3V @ 250μA641pF @ 15V13.2nC @ 5V30VN-CHANNEL AND P-CHANNEL5.8A5.5A0.027Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant----
- Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin DSO T/R-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011-Obsolete3 (168 Hours)8EAR99---DUAL鸥翼未说明未说明-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING22m Ω @ 8.6A, 10V2.1V @ 250μA800pF @ 15V10.4nC @ 10V30V-7A-0.022Ohm30V--符合RoHS标准OptiMOS™1.56W±20V20V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSO220N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin DSO T/R | 对比 |
![]() | DMN3018SSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | N-Channel 30 V 21 mO 13.2 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8 | 对比 |
![]() | DMC3026LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 30V N & P Comp FET Enh 20Vgss Low Rdson | 对比 |





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