Diodes Incorporated DMC3026LSD-13

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

73.992255mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.2A Ta 8A Ta

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

60.5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2014

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

1.2W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

9.7 ns

功率 - 最大

1.6W

场效应管类型

N and P-Channel Complementary

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

25m Ω @ 6A, 10V, 28m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

641pF @ 15V 1241pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 4.5V, 10.9nC @ 4.5V

上升时间

17.1ns

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

40.4 ns

连续放电电流(ID)

6.2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.5A

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant