DMC4015SSD-13备选型号: BSO150N03
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 系列
- 无铅代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 功率耗散
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 无铅
- MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SO23 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON8.6A 6.2A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e3活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)1.2WDUAL鸥翼未说明未说明SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN and P-ChannelSWITCHING15m Ω @ 3A, 10V3V @ 250μA1810pF @ 20V40nC @ 10V40VN-CHANNEL AND P-CHANNEL6.2A0.02Ohm40VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门ROHS3 Compliant----------------
- MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008e3Obsolete3 (168 Hours)8EAR99哑光锡1.4W-鸥翼26040SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2 N-Channel (Dual)SWITCHING15m Ω @ 9.1A, 10V2V @ 25μA1890pF @ 15V15nC @ 5V--7.6A0.015Ohm-METAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard符合RoHS标准OptiMOS™yesAVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE30V9.1ABSO150N038不合格1.4W4ns4 nsMS-012AA20V30V100 pF无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMS4872NR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | 对比 | |
![]() | BSO150N03 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO | 对比 |




哦! 它是空的。