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DMG4N60SK3-13备选型号: FQD5N60CTM-WS

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工厂交货时间
底架
安装类型
包装/外壳
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
操作温度
包装
已出版
JESD-609代码
无铅代码
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
ECCN 代码
端子表面处理
峰值回流焊温度（摄氏度）
时间@峰值回流温度-最大值(s)
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
RoHS状态
系列

DMG4N60SK3-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

8 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
3.7A Tc
4.5V @ 250μA
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
2015
e3
yes
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
Matte Tin (Sn)
未说明
未说明
N-Channel
2.3 Ω @ 2A, 10V
532pF @ 25V
14.3nC @ 10V
600V
±30V
3.7A
ROHS3 Compliant
-
FQD5N60CTM-WS

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 2.8A

-
表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
10V
4V @ 250μA
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
-
-
-
不用于新设计
1 (Unlimited)
-
-
-
-
N-Channel
2.5 Ω @ 1.4A, 10V
670pF @ 25V
19nC @ 10V
600V
±30V
2.8A
ROHS3 Compliant
QFET®
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