Infineon Technologies IPD60R1K0CEATMA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

37W Tc

Turn Off Delay Time

60 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™ CE

已出版

2015

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1 Ω @ 1.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 130μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

280pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

上升时间

8ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

4.3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

1Ohm

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

46 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅